Виталий Волобуев (g_gumbert) wrote,
Виталий Волобуев
g_gumbert

Categories:

Олег Лосев — первооткрыватель полупроводников



makhk 
публикует материал:

Летом 2001 года два менеджера американской компании Intel попросили одного из авторов этой статьи составить неформальный список российских ученых, внесших значительный вклад в развитие физики и технологии полупроводников. Составляя список, мы включили в него и Олега Лосева, упомянув, что «О. В. Лосев был одним из пионеров применения полупроводников в практических радиоэлектронных устройствах в начале 20−х годов XX века».

К стыду своему, все, что мы знали тогда о О. В. Лосеве, было подчерпнуто из кратких упоминаний в предисловиях к некоторым отечественным техническим изданиям, преимущественно 50−х годов. Эти упоминания касались в основном демонстрации Лосевым усиления и генерации радиочастотных колебаний с помощью разновидности кристаллического детектора — кристадина. При этом физический принцип действия прибора не описывался. В ответ на запрос Intel мы написали буквально следующее: «Лосев О. В. продемонстрировал первый полупроводниковый трехконтактный усилитель». Реакция коллег из Intel была неожиданной. Кроме обычной в таких случаях благодарности они задали вопрос, в котором содержался неподдельный интерес: если О. Лосев создал первый трехтерминальный полупроводниковый прибор в 20−х годах, то получается, что он создатель первого в мире транзистора, за который Джон Бардин, Уолтер Брэттэн и Уильям Шокли получили Нобелевскую премию в 1956 году.

Просмотрев еще раз информацию о Лосеве в американском учебнике, мы нашли, что его прибор был двухконтактным, а ошибочное утверждение о трехконтактном приборе возникло из-за того, что стандартные электронные усилительные приборы (такие как транзисторы) имеют три контакта, поэтому мы отождествили усилительный прибор с трехконтактным. Тогда как же работал на самом деле усилитель Лосева? Один из авторов статьи вспомнил о двухконтактном приборе, который может усиливать электрический сигнал. Это — туннельный диод, имеющий так называемую N-образную вольт-амперную характеристику (ВАХ). В своем новом письме Intel мы так и написали: «Прибор О. В. Лосева был двухконтактным с N-образной ВАХ, напоминающей туннельный диод». Ответ из Intel последовал незамедлительно: если О. Лосев создал первый туннельный диод в 20−х годах, то как быть с Лео Есаки, который получил Нобелевскую премию (1973 год) за открытие туннельного диода в 1958 году?

Так рутинная историческая справка превратилась в загадку. Впрочем, не меньше удивляли неподдельный интерес американцев — сотрудников Intel и их желание докопаться до сути. Они провели самостоятельные изыскания и установили, что Олег Лосев был к тому же пионером оптоэлектроники и что на эту тему была обширная статья в американском журнале еще в 70−х годах. В таком контексте вполне естественным было поставить вопрос о «пересмотре приоритетов» в нобелевских работах, да и любопытство американских специалистов серьезно стимулировало к дальнейшим поискам.

Вся статья для любопытствующих 

Tags: Горжусь, Наше
Subscribe
  • Post a new comment

    Error

    Anonymous comments are disabled in this journal

    default userpic

    Your reply will be screened

    Your IP address will be recorded 

  • 11 comments